功能介绍

　　反应离子刻蚀是一种半导体生产加工工艺，它利用由等离子体强化后的反应离子气体轰击目标材料，来达到刻蚀的目的。气体在低压(真空)环境下由电磁场产生，等离子体中的高能离子轰击芯片表面并与之反应。反应离子刻蚀机属于干法刻蚀设备。

　　主要技术参数

　　·反应腔：298 mm直径, AlMgSi 0.5材料, 铰链连接顶盖

　　·下电极：铝制水冷电极,电极直径215毫米,4"-8"晶圆，可提供小片晶片托架

　　·上电极：硬铝镀层，带有淋浴头和中间光学终点探测窗口

　　·真空系统：防腐蚀旋转油泵,16 m3/h

　　·供气系统：2条气路，带有MFC和切断阀

　　·RF电源：3.56 MHz射频发生器, 600 W, 气冷

　　·控制系统：远程控制器， Interbus, RFC基础联动装置

　　·软件：SENTECH控制软件, 包含图形界面，recipe控制操作，功能强大的recipe编辑器和数据资料记录

　　应用范围

　　广泛应用于半导体器件、电力电子器件、光电子、太阳能电池、微机械等领域，是微米纳米器件制备的必备设备。