功能介绍

　　可以实现各种非标准基片曝光、复杂微纳图案、正反双面曝光、制备微电子器件、多层硅通孔器件、柔性电子器件、MEMS器件。

　　主要技术参数

　　·350W近紫外光源(365nm/405nm/436nm)，具有恒定光强与恒定功率两种控制模式可调节。

　　·均匀光束面积不小于6英寸。

　　·光强均匀性：<±1% 直径 2”区域;<±2% 直径 4”区域;<±3% 直径 6”区域

　　·输出强度：365 nm光强输出强度>20mW/cm2;或400 nm光强输出强度>40mW/cm2

　　·光学系统具抗反射涂层以及消除衍射效应的功能。

　　·设备本身具有365nm线与400nm线光强探测功能以及反馈调节功能。

　　·光束发散半角不大于2°

　　·具有安全报警和自我保护功能。

　　·具有三种曝光模式：硬接触，软接触，间隙式。

　　·支持正胶，负胶SU8等厚胶工艺

　　·在一微米厚度的正胶条件下线宽制备能力：<0.5μm ——硬接触; <0.8μm——软接触;<1μm——间隔50微米; <2μm——间隔100微米

　　·正面对准精度优于±1.0μm，背面对准精度优于±2.0μm

　　·采用双CCD对位系统，图像放大倍率在100倍-850倍范围内连续可调。

　　·能完成最小到15mm晶圆双目双视场的同时对准。

　　·通过更换夹具能完成4-6英寸晶圆的光刻。

　　·系统应具备电控和启动的控制操作面板。