半导体材料可搀杂n型或p型导电杂质来调变阻值，却不影响其机械物理性质的特点，是进一步创造出p-n接合面(p-n junction)、二极管(diode)、晶体管(transistor)、以至于大千婆娑之集成电路(IC)世界之基础。而扩散是达成导电杂质搀染的初期重要制程。

氧化是半导体制程中，最干净、单纯的一种;这也是硅晶材料能够取得优势的特性之一(他种半导体，如砷化镓 GaAs，便无法用此法成长绝缘层，因为在550℃左右，砷化镓已解离释放出砷!)硅氧化层耐得住850℃ ~ 1050℃的后续制程环境，系因为该氧化层是在前述更高的温度成长;不过每生长出1 微米厚的氧化层，硅晶表面也要消耗掉0.44微米的厚度。

硅晶圆 (silicon wafer) 是一切集成电路芯片的制作母材。既然说到晶体，显然是经过纯炼与结晶的程序。目前晶体化的制程，大多是采「柴可拉斯基」(Czycrasky) 拉晶法 (CZ法)。拉晶时，将特定晶向 (orientation) 的晶种 (seed)，浸入过饱和的纯硅熔汤 (Melt) 中，并同时旋转拉出，硅原子便依照晶种晶向，乖乖地一层层成长上去，而得出所谓的晶棒 (ingot)。

一般的机械加工是不需要洁净室(clean room)的，因为加工分辨率在数十微米以上，远比日常环境的微尘颗粒为大。但进入半导体组件或微细加工的世界，空间单位都是以微米计算，因此微尘颗粒沾附在制作半导体组件的晶圆上，便有可能影响到其上精密导线布局的样式，造成电性短路或断路的严重后果。

仪器开机或按复位键后，进入初始状态(1)。此时光标指针指向“电阻”，直接按“确定”键进入状态(2)，显示变化的充电电流和测量时间，充电完成后自动进入状态(3)，显示电阻值、测量电流和测量时间，此时每按一次“确定”键则储存一次测量结果(带打印机的机型同时打印出测量结果)。按“复位”键退出电阻测量，进入状态(4)，显示放电电流。放电结束后，自动回到初始状态(1)，完成一次电阻测量。

直流电阻快速测试仪（微欧计）是取代直流单、双臂电桥的高精度换代产品。直流电阻快速测试仪采用了先进的开关电源技术，由点阵式液晶显示测量结果。克服了其它同类产品由LED显示值在阳光下不便读数的缺点，同时具备了自动消弧功能。仪器若出现问题，需及时处理。

直流电阻测试仪采用典型的四线制测量法。以期提高测量电阻(尤其是低阻)的准确度。程控恒流源、程控前置放大器、A/D转换器构成了测量电路的主体。中央控制单元通过控制恒流源给外部待测负载施加一个恒定、高精度的电流，然后，将所获得的数据(包括测试电压、当前的测试电流等)进行处理，得到实际电阻值。

变压器绕组直流电阻测试仪测量变压器绕组的直流电阻是一个很重要的试验项目，在《电力设备试验规程》中，其次序排在变压器试验项目的第二位，《规程》规定在变压器交接、大修、小修、变更分接头位置、故障检查及预试等，必须测量变压器绕组的直流电阻。

直流稳压电源是高稳定度的稳压稳流自动转换的精密直流电源、输出电压在额定范围内连续可调。输出电流、电压显示分别有数显，液晶显示，指针式。电源形式有单路、双路和三路三种以上。双路输出都可设计串联或并联，输出具有良好的、过载、过压、短路等保护措施，安全性极对可靠。

直流电阻测试仪简称直流电阻测量仪、直流电阻仪、变压器直流电阻测试仪，直流电阻检测仪，直流数字电桥等。