片式多层瓷介电容器简介

　　片式多层瓷介电容器简称片式电容器,是由印好电极(内电极)的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层(外电极)，从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器。

　　片式电容器除有电容器 "隔直通交"的通性特点外，其还有体积小，比容大，寿命长，可靠性高，适合表面安装等特点。 随着世界电子行业的飞速发展，作为电子行业的基础元件，片式电容器也以惊人的速度向前发展， 每年以10%~15%的速度递增。目前，世界片式电容的需求量在 2000亿支以上，70%出自日本，其次是欧美和东南亚(含中国)。随着片容产品可靠性和集成度的提高，其使用的范围越来越广， 广泛地应用于各种军民用电子整机和电子设备。如电脑、电话、程控交换机、精密的测试仪器、雷达通信等。

　　片式多层瓷介电容器执行标准:1类片式多层瓷介电容器执行标准:GB/T 21041-2007(IEC 60384-21:2004);2类片式多层瓷介电容器执行标准:GB/T 21042-2007(IEC60384-22:2004)。

　　简单的平行板电容器的基本结构是由一个绝缘的中间介质层加外两个导电的金属电极，基本结构如下:因此，多层片式陶瓷电容器的结构主要包括三大部分:陶瓷介质，金属内电极，金属外电极。而多层片式陶瓷电容器它是一个多层叠合的结构，简单地说它是由多个简单平行板电容器的并联体。