二极管的特性

　　▼点接触型二极管，它的特点是结面积小，因而结电容小，适用于高频工作，但不能通过很大的电流。主要应用于小电流的整流和高频时的检波、混频等。

　　▼面接触型二极管，它的特点是结面积大，因而结电容大，适用于低频工作，可以通过很大的电流。主要应用于大电流的整流等。

　　◆ 二极管的特性与参数

　　由于二极管的核心是PN结，因此二极管的特性呈单向导电性，为了更准确更全面地理解二极管的单向导电性，可形象地用曲线来描述。加在二极管两端的电压U与流过二极管的电流I的关系曲线称为伏安特性曲线。

　　二极管的伏安特性

　　按制造材料不同，二极管主要硅管和锗管。

　　(1)正向特性

　　OA段：不导电区或称死区。在这一区间内，虽然加有正向电压，但由于正向电压值很小，外电场不能完全抵消PN结的内电场，二极管呈现一个大电阻，使得正向电流几乎为零，把A点对应的正向电压值称为门坎电压，也称死区电压，一般硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。

　　AB段：正向导通区，当正向电压超过死区电压时，这时二极管呈现很小的电阻。电流随之迅速增大，二极管正向导通，这时二极管两端的电压值几乎不随电流的增大而变化。这个电压称为正向压降，硅管约为0.7V，锗管约为0.3V

　　(2)反向特性

　　OC段：反向截止区。当二极管两端施加反向电压时，此时由于少子的漂移作用，形成反向饱和电流IS，反向电流很小。硅管的反向电流为几微安以下，锗管达几十至几百微安。

　　CD段：反向击穿区。当反向电压增大到某值时，反向电流急剧增加，叫做反向击穿。反向击穿时所对应的电压值称为反向击穿电压，用UBR表示，击穿后电流过大使PN结结温升高，如不加以控制会引起热击穿而损坏二极管。

　　3)硅管和锗管的区别

　　硅二极管和锗二极管虽然它们的特性曲线形状相似，但其特性存在一定的差异，主要表现在：

　　a.锗管内部一般用点接触型结构，允许的最高结温Tjm为90℃左右，而硅管一般为面接触型或平面型结构，允许的最高结温Tjm为150℃左右。硅管的死区电压约为0.5V，正向压降为0.7V，锗管死区电压约为0.1V，正向压降为0.3V。在高频小信号的检波电路中为提高检波的灵敏度应选用锗管。

　　b.硅管的反向饱和电流较小，受温度的影响小，在几微安以下，锗管的反向饱和电流为几十至几百微安，且受温度影响大，造成器件使用不稳定，在工程实践中，普遍使用的是硅管，很少使用锗管。

　　◆ 二极管的主要参数

　　二极管有很多功能参数用于描述其各种特性，了解这些参数对于选用器件和设计电路是有用的。在实际应用中最主要的参数为：

　　(1)最大整流电流I: 是指管子长期使用时允许通过的最大正向平均电流，它的值与PN结结面积和外部散热条件有关。对于一些通过大电流的二极管，要求使用散热片使其能安全工作。

　　(2)最高反向工作电压URM:是指为了保证二极管不至于反向击穿而允许外加的最大反向电压。超过此值时，二极管就可能反向击穿而损坏。为了保证二极管能安全工作，一般规定URM为反向击穿电压的一半。

　　(3)反向饱和电流IR:是指二极管未击穿时的反向电流，此值越小，表示该管的单向导电性越好。温度升高会使反向电流急剧增大而使PN结结温升高，超过允许的最高结温会造成热击穿。

　　(4)最高工作频率fM 是指保证管子正常工作的上限频率。越过此值，由于PN结具有结电容，使得结电容的充放电的影响加剧而影响PN结的单向导电性。