三星投26亿美元扩大工厂生产10nm级DRAM内存

三星上月底发布了2017年Q1季度财报，营收只增加1.5%的情况下净利润大增46%，其中贡献最多的就是闪存芯片部门，也就是DRAM内存和NAND闪存。时至今日，DRAM、NAND闪存缺货、涨价的情况都没有缓解，现在还是供不应求，好在三星、SK Hynix、美光等公司也加大了投资力度提升产能，其中三星也要斥资26.4亿美元扩产Line 17工厂，下半年加速10nm级DRAM内存生产。

三星前不久才宣布了全球最大的半导体工厂平泽工厂竣工，那个是针对NAND闪存的，主力产品将是64层堆栈的3D NAND闪存。而在DRAM领域，三星也有新的投资计划，韩国ETNews报道称三星已经通知设备供应商要扩大韩国华城市（Hwasung）的Line 17工厂，预计投资在2.5万亿到3万亿韩元之间，约合22-26.4亿美元。

以300mm晶圆计算，扩建之后每月产能将提升3.5万片晶圆，目前的产能约为4万片晶圆/月。

三星这次扩展Line 17工厂产能的主力产品是10nm级DRAM内存，预计下半年加速生产。注意这里说的是10nm-Class，目前来说应该是18nm工艺的产品了，三星去年宣布量产18nm工艺，之后还会陆续推出17nm、16nm工艺的DRAM芯片。